Перевод: со всех языков на русский

с русского на все языки

(зоны полупроводника)

  • 1 larghezza di banda

    Dictionnaire polytechnique italo-russe > larghezza di banda

  • 2 appauvrissement

    сущ.
    1) общ. обнищание, оскудение, истощение, обеднение
    2) метал. уменьшение содержания, истощение (о руде, о жиле)
    3) радио. истощение (зоны полупроводника), уменьшение концентрации (носителей зарядов), обеднение (носителями заряда)

    Французско-русский универсальный словарь > appauvrissement

  • 3 déplétion

    сущ.
    1) общ. обеднение, истощение (напр., залежей), уменьшение количества
    2) мед. уменьшение или исчезновение (жидкости в полостях или системах организма), обезвоживание, обескровливание, уменьшение жидкости (в каком-л. органе)

    Французско-русский универсальный словарь > déplétion

  • 4 светодиоды

      LEDs
     (Light Emitting Diodes)
     Светодиоды
      Полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Как и в любом полупроводниковом диоде, в светодиоде имеется p-n переход. При пропускании электрического тока в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки — рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой). Светодиод излучает световые волны определенной частоты, зависящей от энергии фотона, испускаемого при рекомбинации. В большинстве случаев эта энергия близка к ширине запрещенной зоны полупроводника (отсюда определенный цвет свечения). Большая часть светодиодов выпускается на основе GaAs, GaAsP и GaAlAs.
      Полупроводник покрыт куском пластика, который фокусирует излучаемый свет и увеличивает его яркость.
      Полупроводники очень надежны, в них нет нити накаливания, они потребляют немного энергии, они ярче и характеризуются большим сроком службы. За счет расположения красных, синих и зеленых светодиодов близко друг к другу на субстрате, можно создать дисплей. Недостаток таких дисплеев состоит в том, что из- за достаточно больших размеров светодиодов они не дают такого хорошего разрешения, как жидкокристаллические дисплеи.
     
     Промышленно выпускаемые светодиоды

    Англо-русский словарь по нанотехнологиям > светодиоды

  • 5 LEDs

      LEDs
     (Light Emitting Diodes)
     Светодиоды
      Полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Как и в любом полупроводниковом диоде, в светодиоде имеется p-n переход. При пропускании электрического тока в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки — рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой). Светодиод излучает световые волны определенной частоты, зависящей от энергии фотона, испускаемого при рекомбинации. В большинстве случаев эта энергия близка к ширине запрещенной зоны полупроводника (отсюда определенный цвет свечения). Большая часть светодиодов выпускается на основе GaAs, GaAsP и GaAlAs.
      Полупроводник покрыт куском пластика, который фокусирует излучаемый свет и увеличивает его яркость.
      Полупроводники очень надежны, в них нет нити накаливания, они потребляют немного энергии, они ярче и характеризуются большим сроком службы. За счет расположения красных, синих и зеленых светодиодов близко друг к другу на субстрате, можно создать дисплей. Недостаток таких дисплеев состоит в том, что из- за достаточно больших размеров светодиодов они не дают такого хорошего разрешения, как жидкокристаллические дисплеи.
     
     Промышленно выпускаемые светодиоды

    Англо-русский словарь по нанотехнологиям > LEDs

  • 6 беспримесный

     Беспримесный (собственный)
      Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре. Для полупроводников характерно наличие не очень широкой запрещенной зоны в энергетической диаграмме. При T=0оК у собственного полупроводника валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости абсолютно свободна, поэтому собственный полупроводник при T=0оК является идеальным диэлектриком. При T>0оК имеется конечная вероятность того, что за счет тепловых флуктуаций (неравномерного распределения тепловой энергии между частицами) некоторые из электронов преодолеют запрещенный барьер и перейдут в зону проводимости. В собственном полупроводнике каждый переход электрона в зону проводимости сопровождается образованием дырки в валентной зоне.

    Англо-русский словарь по нанотехнологиям > беспримесный

  • 7 intrinsic

     Беспримесный (собственный)
      Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре. Для полупроводников характерно наличие не очень широкой запрещенной зоны в энергетической диаграмме. При T=0оК у собственного полупроводника валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости абсолютно свободна, поэтому собственный полупроводник при T=0оК является идеальным диэлектриком. При T>0оК имеется конечная вероятность того, что за счет тепловых флуктуаций (неравномерного распределения тепловой энергии между частицами) некоторые из электронов преодолеют запрещенный барьер и перейдут в зону проводимости. В собственном полупроводнике каждый переход электрона в зону проводимости сопровождается образованием дырки в валентной зоне.

    Англо-русский словарь по нанотехнологиям > intrinsic

См. также в других словарях:

  • ширина запрещенной зоны полупроводника — ширина запрещенной зоны Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы ширина запрещенной зоны …   Справочник технического переводчика

  • Ширина запрещенной зоны полупроводника — 79. Ширина запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Дно зоны проводимости — В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена. Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники. Эта отметка… …   Википедия

  • критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок …   Справочник технического переводчика

  • критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая… …   Справочник технического переводчика

  • Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — 30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — 29. Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника Критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости Источник: ГОСТ… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с …   Физическая энциклопедия

  • полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… …   Энциклопедический словарь

  • p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …   Физическая энциклопедия

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»